Cambridge GaN Devices 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司三上悠亚 在线av，配置了一系列高能效氮化镓功率器件，奋力于打造更环保的电子器件。CGD正在与人人跨越的结合和电源措置决策供应商 Qorvo®（纳斯达克股票代码：QRVO）合营配置GaN在电机终局诈欺中的参考规划和评估套件（EVK）。CGD旨在加速 GaN 功率 IC 在无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）诈欺中的使用，打造更高功率、高效、紧凑和可靠的系统。Qorvo在为其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 电机终局器和初始器规划的 EVK 中弃取了 CGD的ICeGaN™ （IC 增强型 GaN）时代。

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丝袜玉足JEff | “GaN 和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体因凭借其更高的功率密度和恶果上风而被积极用于多样电机终局诈欺中。CGD的 ICeGaN 产物提供了易用性和可靠性，这些是电机终局和初始规划师温雅的两个要道身分。咱们很悠然看到规划工程师将 CGD 的 ICeGaN 与咱们高度集成的 PAC5556A 600V 无刷直流电机终局措置决策相结合时的反馈。”GaN 带来的多种益处包括：更低的损耗，从而带来更高的恶果，进而加多了功率可用性和产生更少的热量。这减少了对复杂、宏大和不菲的热管集会决决策的需求，从而产生更小、更强劲、寿命更长的系统。GaN 还不错在低速时提供更高的扭矩，因此不错已矣更精准的终局。此外，GaN 可已矣高速开关，这不错减少可听噪声，这关于吊扇、热泵和雪柜等家电尤其伏击。

除了易用性除外，与其他 GaN 器件比拟，ICeGaN 还提供了以下几个显耀的优点。ICeGaN 的栅极初始电压与 IGBT 兼容。由于 ICeGaN 在 GaN IC 内集成了米勒箝位，是以不需要负关断电压，而且不错使用低资本的电流初始器。临了，ICeGaN 内嵌电流感测功能，简化了电路规划并减少了物料清单（BOM）。

参考规划现已上市三上悠亚 在线av，EVK RD5556GaN 将在本年第3季度上市。该产物将于2024年6月11日至13日在德国纽伦堡举行的 PCIM 展览上初次公开展示。CGD的展位号为7-643。Qorvo展位号为7-406。